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ESH3DFSH

ESH3DFSH Taiwan Semiconductor

ESH3DFSH_B2103.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 25ns, 3A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier
auf Bestellung 21322 Stücke:
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Technische Details ESH3DFSH Taiwan Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 132A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ESH3DFSH ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ESH3DFSH_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
27+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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ESH3DFSH ESH3DFSH TAIWAN SEMICONDUCTOR ESH3DFSH_B2103.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
270+0.86 EUR
414+0.52 EUR
547+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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ESH3DFSH ESH3DFSH TAIWAN SEMICONDUCTOR ESH3DFSH_B2103.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A
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Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 645 Stücke:
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
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Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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