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F30U60DNTU (FFAF30U60DNTU) Dioden Gruppe
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FFAF30U60DNTU | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-3PF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
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FFAF30U60DNTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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GT50JR22 Produktcode: 108218
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
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Stück im Wert von UAH
20 Ohm 5% 1W Ausf. (CR100SJTB-20R-Hitano) Produktcode: 89470
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 20 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): 5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500 V
Abmessungen: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Typ: вугільні мініатюрні
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 20 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): 5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500 V
Abmessungen: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Typ: вугільні мініатюрні
verfügbar: 658 Stück
200 Stück - stock Köln
458 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Anzahl | Preis |
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100+ | 0.014 EUR |