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F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1

F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
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Technische Details F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 nach Preis ab 321.94 EUR bis 355.13 EUR

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F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Hersteller : INFINEON 4130651.pdf Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies MOSFET EASY STANDARD
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F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies LOW POWER EASY
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