F3L200R07W2S5FB11BOMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - F3L200R07W2S5FB11BOMA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 /CoolSiC-Schottky-Diode
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
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IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
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Technische Details F3L200R07W2S5FB11BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - F3L200R07W2S5FB11BOMA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench Stop 5 /CoolSiC-Schottky-Diode, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote F3L200R07W2S5FB11BOMA1 nach Preis ab 157.27 EUR bis 168.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
High Speed IGBT Module Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.38V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.3 nF @ 25 V |
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