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F3L400R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies

Infineon_F3L400R10W3S7_B11_DataSheet_v03_00_EN-2583085.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 950 V, 400 A 3-level IGBT module
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Technische Details F3L400R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25.2 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 70 µA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 150A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
F3L400R10W3S7B11BPSA1 F3L400R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F3L400R10W3S7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717e23fe8d2713 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 70 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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F3L400R10W3S7B11BPSA1 Infineon-F3L400R10W3S7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717e23fe8d2713
F3L400R10W3S7B11BPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 70 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 150A
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