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F411MR12W3M1HB11BPSA1

F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies

infineonf411mr12w3m1hb11datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray
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Technische Details F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
F411MR12W3M1HB11BPSA1 F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies infineonf411mr12w3m1hb11datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 50-Pin Tray
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F411MR12W3M1HB11BPSA1 F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon_04-01-2025_DS_F4-11MR12W3M1H_B11_v1.00_en (3).pdf Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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F411MR12W3M1HB11BPSA1 F411MR12W3M1HB11BPSA1 INFINEON 4520225.pdf Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 75A
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isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-11MR12W3M1H_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195f5dfc49e2203 Description: F411MR12W3M1HB11BPSA1
Packaging: Tray
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Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
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Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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