
F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details F411MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F411MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote F411MR12W3M1HB11BPSA1 nach Preis ab 214.81 EUR bis 279.21 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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F411MR12W3M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray |
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