F4150R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details F4150R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 230A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 230 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote F4150R17ME4B11BPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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F4150R17ME4B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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F4150R17ME4B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 230A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 230 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V |
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