F417MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details F417MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F417MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote F417MR12W1M1HB76BPSA1 nach Preis ab 207.29 EUR bis 238.30 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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F417MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 45A 15-Pin |
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F417MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 45A 15-Pin |
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F417MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F417MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| F417MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET EASY STANDARD |
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F417MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 45A 15-Pin |
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F417MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 40A 15-Pin |
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