F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
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Technische Details F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F417MR12W1M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote F417MR12W1M1HPB76BPSA1 nach Preis ab 256.02 EUR bis 337 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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F417MR12W1M1HPB76BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F417MR12W1M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F417MR12W1M1HPB76BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET EASY STANDARD |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| F417MR12W1M1HPB76BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F417MR12W1M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - F417MR12W1M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 337 EUR |
| 5+ | 298.3 EUR |
| 10+ | 261.84 EUR |
| F417MR12W1M1HPB76BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET EASY STANDARD
MOSFET EASY STANDARD
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 282.43 EUR |
| 10+ | 264.5 EUR |
| 30+ | 256.02 EUR |