F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V.
Weitere Produktangebote F423MR12W1M1B11BOMA1 nach Preis ab 250.61 EUR bis 260.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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F423MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASYPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V |
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F423MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin Tray |
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F423MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray |
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