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F433MR12W1M1HB76BPSA1

F433MR12W1M1HB76BPSA1 INFINEON


Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F433MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 48 Stücke:
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Technische Details F433MR12W1M1HB76BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - F433MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
F433MR12W1M1HB76BPSA1 F433MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
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24+169.33 EUR
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F433MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies MOSFETs EASY STANDARD
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+111.09 EUR
10+91.5 EUR
120+86.2 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
auf Bestellung 24 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs EASY STANDARD
auf Bestellung 23 Stücke:
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10+91.5 EUR
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