F433MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details F433MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F433MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote F433MR12W1M1HB76BPSA1 nach Preis ab 144.50 EUR bis 173.94 EUR
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F433MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F433MR12W1M1HB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| F433MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET EASY STANDARD |
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| F433MR12W1M1HB76BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 LOW POWER EASY |
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