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F43L50R07W2H3FB11BPSA2

F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies


Infineon-F4-3L50R07W2H3F_B11-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfb712d9c6e9e Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
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Technische Details F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 50A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V.

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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_F4_3L50R07W2H3F_B11_DataSheet_v03_01_EN-1827263.pdf IGBT Modules EASY STANDARD
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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-F4-3L50R07W2H3F_B11-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfb712d9c6e9e Description: IGBT MOD 650V 50A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Hersteller : Infineon Technologies 162infineon-f4-3l50r07w2h3f_b11-ds-v03_01-en.pdffileid5546d4625bd71a.pdf EasyPACK Module With Trench/Fieldstop High-Speed 3 IGBT and SiC Diode and PressFIT / NTC
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