F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 50A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
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Technische Details F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F43L50R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, 8er-Pack, 50 A, 1.45 V, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45, Dauer-Kollektorstrom: 50, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, IGBT-Konfiguration: 8er-Pack, DC-Kollektorstrom: 50, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote F43L50R07W2H3FB11BPSA2 nach Preis ab 120.13 EUR bis 240.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 650V 50A MODULEInput Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 50 A 3-level IGBT module |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - F43L50R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, 8er-Pack, 50 A, 1.45 V, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Dauer-Kollektorstrom: 50 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: EasyPACK CoolSiC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 IGBT-Konfiguration: 8er-Pack DC-Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F43L50R07W2H3FB11BPSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 50A MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Description: IGBT MODULE 650V 50A MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 120.13 EUR |
| F43L50R07W2H3FB11BPSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 650 V, 50 A 3-level IGBT module
IGBT Modules 650 V, 50 A 3-level IGBT module
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 211.75 EUR |
| F43L50R07W2H3FB11BPSA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F43L50R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, 8er-Pack, 50 A, 1.45 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 50
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: 8er-Pack
DC-Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - F43L50R07W2H3FB11BPSA2 - IGBT-Modul, 8er-Pack, 50 A, 1.45 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 50
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: 8er-Pack
DC-Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 240.43 EUR |
| 5+ | 218.78 EUR |
| 10+ | 197.79 EUR |


