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FAM65CR51ADZ2

FAM65CR51ADZ2 onsemi

fam65cr51adz1-d.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET Modules APM16-CDB SF3 650V 51MOHM SIC DIODE AL2O3 L-FORMING PFC
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Technische Details FAM65CR51ADZ2 onsemi

Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FAM65CR51ADZ2 FAM65CR51ADZ2 Hersteller : onsemi fam65cr51adz1-d.pdf Description: POWER INTEGRATED MODULE (PIM) BO
Packaging: Tube
Package / Case: 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 41 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
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FAM65CR51ADZ2 Hersteller : ONSEMI 3191465.pdf Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FAM65CR51ADZ2 FAM65CR51ADZ2 Hersteller : ON Semiconductor fam65cr51adz1-d.pdf Boost Converter Smart Power Stage Module
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