Technische Details FAM65CR51ADZ2 onsemi
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 166W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Weitere Produktangebote FAM65CR51ADZ2 nach Preis ab 46.64 EUR bis 77.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FAM65CR51ADZ2 | onsemi |
 Description: MOSFET IPM 650V 41A 12-SSIPPackaging: Tube Package / Case: 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Grade: Automotive Current: 41 A Voltage: 650 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FAM65CR51ADZ2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 166W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 166W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FAM65CR51ADZ2 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET IPM 650V 41A 12-SSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 41 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET IPM 650V 41A 12-SSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 41 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 68.92 EUR |
| 12+ | 50.06 EUR |
| FAM65CR51ADZ2 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 166W
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 77.47 EUR |
| 5+ | 64.74 EUR |
| 10+ | 53.2 EUR |
| 50+ | 46.64 EUR |