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FB50R07W2E3B23BOMA1

FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies

infineonfb50r07w2e3b23datasheetv0110en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC
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Technische Details FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 45A, Produktpalette: EasyPIM Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FB50R07W2E3B23BOMA1 FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies infineonfb50r07w2e3b23datasheetv0110en.pdf Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC
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FB50R07W2E3B23BOMA1 FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FB50R07W2E3_B23-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBT Modules 650 V, 50 A PIM IGBT module
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FB50R07W2E3B23BOMA1 FB50R07W2E3B23BOMA1 Infineon Technologies FB50R07W2E3_B23_v1.01_9-16-22.pdf Description: IGBT MODULE 650V 50A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3100 pF @ 25 V
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FB50R07W2E3B23BOMA1 FB50R07W2E3B23BOMA1 INFINEON 4379512.pdf Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Infineon Technologies
Fast Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 650 V, 50 A PIM IGBT module
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FB50R07W2E3B23BOMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 50A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3100 pF @ 25 V
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FB50R07W2E3B23BOMA1 4379512.pdf
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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