FCB20N60 ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 15.87 EUR |
| 24+ | 9.94 EUR |
| 50+ | 7.9 EUR |
| 100+ | 6.64 EUR |
| 250+ | 6.51 EUR |
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Technische Details FCB20N60 ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 208W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.
Weitere Produktangebote FCB20N60 nach Preis ab 6.51 EUR bis 15.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FCB20N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 208W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
auf Bestellung 1057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCB20N60 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 208W
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 16+ | 15.87 EUR |
| 24+ | 9.94 EUR |
| 50+ | 7.9 EUR |
| 100+ | 6.64 EUR |
| 250+ | 6.51 EUR |