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FCH023N65S3-F155

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 ON Semiconductor fch023n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 ON Semiconductor fch023n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 onsemi fch023n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
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FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 onsemi fch023n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 23 mOhm
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FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 ONSEMI fch023n65s3-d.pdf Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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FCH023N65S3-F155 ONN fch023n65s3-d.pdf
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FCH023N65S3-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH023N65S3-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH023N65S3-F155
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
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Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 23 mOhm
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FCH023N65S3-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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FCH023N65S3-F155 fch023n65s3-d.pdf
Hersteller: ONN
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