Technische Details FCH023N65S3L4 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote FCH023N65S3L4 nach Preis ab 25.62 EUR bis 50.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCH023N65S3L4 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V |
auf Bestellung 61069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH023N65S3L4 | onsemi |
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH023N65S3L4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 595 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FCH023N65S3L4 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 28.14 EUR |
| 120+ | 26.53 EUR |
| FCH023N65S3L4 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 28.14 EUR |
| 120+ | 25.94 EUR |
| FCH023N65S3L4 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
auf Bestellung 61069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 42.99 EUR |
| 30+ | 27.49 EUR |
| 120+ | 25.62 EUR |
| FCH023N65S3L4 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 50.98 EUR |
| 10+ | 33.68 EUR |
| 120+ | 32.33 EUR |
| FCH023N65S3L4 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 8+ | 32.53 EUR |
| FCH023N65S3L4 |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)