FCH023N65S3L4 ON Semiconductor
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| 450+ | 21.32 EUR |
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Technische Details FCH023N65S3L4 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote FCH023N65S3L4 nach Preis ab 23.53 EUR bis 38.30 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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FCH023N65S3L4 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH023N65S3L4 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V |
auf Bestellung 72222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH023N65S3L4 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 595 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH023N65S3L4 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCH023N65S3L4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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FCH023N65S3L4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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FCH023N65S3L4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| FCH023N65S3L4 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 65.8A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 222nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FCH023N65S3L4 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 65.8A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 222nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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