FCH067N65S3-F155 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 11.6 EUR |
| 30+ | 6.71 EUR |
| 120+ | 5.64 EUR |
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Technische Details FCH067N65S3-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FCH067N65S3-F155
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH067N65S3-F155 | ONN |
|
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FCH067N65S3-F155 |
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Hersteller: ONN
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