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FCH072N60

FCH072N60 onsemi

FCH072N60-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 380 V
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Anzahl Preis
2+13.52 EUR
30+8.43 EUR
120+7.43 EUR
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Technische Details FCH072N60 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 481W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 380 V.

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FCH072N60 FCH072N60 Hersteller : ON Semiconductor fch072n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH072N60 Hersteller : ONSEMI FCH072N60-D.PDF FCH072N60 THT N channel transistors
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