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FCH47N60-F133

FCH47N60-F133 ON Semiconductor

fch47n60-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FCH47N60-F133 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 Hersteller : ON Semiconductor fch47n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
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FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 Hersteller : ONSEMI 2304872.pdf Description: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 Hersteller : onsemi fch47n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
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