FCP11N60
Produktcode: 62645
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FCP11N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 15890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP11N60 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP11N60 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 600V 11A N-CH |
auf Bestellung 678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP11N60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP11N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCP11N60 | Hersteller : ONS/FAI |
650В; 11А; TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |