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FCP11N60

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCP11N60 FCP11N60 ON Semiconductor fcpf11n60t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15890 Stücke:
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80+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FCP11N60 FCP11N60 ON Semiconductor fcpf11n60t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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FCP11N60 FCP11N60 ON Semiconductor fcpf11n60t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
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FCP11N60 FCP11N60 onsemi FCPF11N60T-D.pdf MOSFETs 600V 11A N-CH
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+3.97 EUR
100+3.61 EUR
500+3.37 EUR
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FCP11N60 FCP11N60 onsemi FCPF11N60T-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8 EUR
10+5.27 EUR
50+4.11 EUR
100+3.72 EUR
500+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: SuperFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCP11N60
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15890 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FCP11N60
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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FCP11N60
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
950+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP11N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V 11A N-CH
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1+7.75 EUR
10+3.97 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1067 Stücke:
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3+8 EUR
10+5.27 EUR
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FCP11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: SuperFET®
Kind of package: tube
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