FCP380N60 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FCP380N60 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCP380N60 nach Preis ab 1.99 EUR bis 6.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FCP380N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 80600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP380N60 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP380N60 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperFET2, 380mohm |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP380N60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCP380N60 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
auf Bestellung 23500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP380N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCP380N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCP380N60 | Hersteller : ONSEMI |
FCP380N60 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCP380N60 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V |
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