FCP7N60 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 1.43 EUR |
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Technische Details FCP7N60 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FCP7N60 nach Preis ab 1.2 EUR bis 5.19 EUR
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Preis | ||||||||||||
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FCP7N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FCP7N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP7N60 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP7N60 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET |
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FCP7N60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP7N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCP7N60 | Hersteller : FSC |
07+ QFP-80 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCP7N60 Produktcode: 208584
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FCP7N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCP7N60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 83W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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