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FCP7N60

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Produktcode: 208584
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCP7N60 FCP7N60 ON Semiconductor fcpf7n60d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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FCP7N60 FCP7N60 onsemi FCPF7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.53 EUR
10+4.28 EUR
50+3.32 EUR
100+3 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FCP7N60 FCP7N60 onsemi FCPF7N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1986 Stücke:
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1+7.46 EUR
10+4.88 EUR
100+3.53 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.75 EUR
2500+2.59 EUR
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FCP7N60 FCP7N60 ONSEMI 2303943.pdf Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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FCP7N60 ONS/FAI FCP7N60-FCPF7N60.pdf IGBT, N-ch, 7A, 600V, TO-220 Транзистори
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FCP7N60
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP7N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
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FCP7N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
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FCP7N60
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
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Hersteller: ONS/FAI
IGBT, N-ch, 7A, 600V, TO-220 Транзистори
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