Weitere Produktangebote FCPF099N65S3 nach Preis ab 3.91 EUR bis 9.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FCPF099N65S3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm |
auf Bestellung 11766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF099N65S3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V |
auf Bestellung 3163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF099N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF099N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCPF099N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FCPF099N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 43W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 43W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 57nC Pulsed drain current: 75A |
Produkt ist nicht verfügbar |