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FCPF1300N80Z

FCPF1300N80Z Fairchild

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Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 800V 4A 1.3Ω 24W FCPF1300N80Z Fairchild TFCPF1300N80Z
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Technische Details FCPF1300N80Z Fairchild

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V.

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FCPF1300N80Z FCPF1300N80Z onsemi / Fairchild B3856BBED8FE6CF535A79889DADC5F0A5047700784E92F8F3152485C981D2EBE.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
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FCPF1300N80Z FCPF1300N80Z onsemi fcpf1300n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
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