FCPF190N60_F152 FAIRCHILD
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Technische Details FCPF190N60_F152 FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FCPF190N60-F152 | ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 600V, 20.2A, 199mOhm SuperFET II MOSFET |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCPF190N60-F152 |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 600V, 20.2A, 199mOhm SuperFET II MOSFET
MOSFET 600V, 20.2A, 199mOhm SuperFET II MOSFET
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