FCPF190N65S3L1 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
auf Bestellung 327240 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 294+ | 1.66 EUR |
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Technische Details FCPF190N65S3L1 onsemi
Description: ONSEMI - FCPF190N65S3L1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCPF190N65S3L1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FCPF190N65S3L1 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG |
auf Bestellung 854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF190N65S3L1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF190N65S3L1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 327340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCPF190N65S3L1 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FCPF190N65S3L1 | Hersteller : ON Semiconductor |
N-Channel SuperFET MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCPF190N65S3L1 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |