| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.42 EUR |
| 10+ | 5.74 EUR |
| 25+ | 3.43 EUR |
| 100+ | 2.94 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.57 EUR |
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Technische Details FCPF250N65S3L1-F154 onsemi
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FCPF250N65S3L1-F154 nach Preis ab 2.55 EUR bis 6.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FCPF250N65S3L1-F154 | onsemi |
 Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF250N65S3L1-F154 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FCPF250N65S3L1-F154 |
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Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.64 EUR |
| 50+ | 3.41 EUR |
| 100+ | 3.1 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| FCPF250N65S3L1-F154 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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