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FCPF400N80Z

FCPF400N80Z ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FCPF400N80Z ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCPF400N80Z FCPF400N80Z ON Semiconductor fcpf400n80z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF400N80Z FCPF400N80Z ON Semiconductor fcpf400n80z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF400N80Z FCPF400N80Z ON Semiconductor fcpf400n80z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF400N80Z FCPF400N80Z Fairchild info-tfcpf400n80z.pdf N-MOSFET 800V 11A 400mΩ 35.7W FCPF400N80Z Fairchild TFCPF400N80Z
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FCPF400N80Z FCPF400N80Z ONSEMI ONSM-S-A0003584073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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41+5.74 EUR
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FCPF400N80Z FCPF400N80Z onsemi FCPF400N80Z-D.PDF Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 1032 Stücke:
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3+8.65 EUR
50+4.49 EUR
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FCPF400N80Z FCPF400N80Z onsemi FCPF400N80Z-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
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N-MOSFET 800V 11A 400mΩ 35.7W FCPF400N80Z Fairchild TFCPF400N80Z
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FCPF400N80Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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41+5.74 EUR
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FCPF400N80Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
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50+4.49 EUR
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500+3.38 EUR
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auf Bestellung 4960 Stücke:
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10+4.76 EUR
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