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Technische Details FCPF850N80Z onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote FCPF850N80Z nach Preis ab 2.28 EUR bis 4.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCPF850N80Z | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V |
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| FCPF850N80Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF850N80Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF850N80Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF850N80Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| FCPF850N80Z | Hersteller : ONSEMI |
FCPF850N80Z THT N channel transistors |
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