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FCX555TA

FCX555TA Diodes Incorporated

FCX555.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 180V 0.7A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 476000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
7000+0.27 EUR
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Technische Details FCX555TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - FCX555TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 700 mA, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FCX555TA nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCX555TA FCX555TA DIODES INCORPORATED FCX555.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 700mA; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Collector current: 0.7A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 150V
Quantity in set/package: 1000pcs.
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.07 EUR
128+0.67 EUR
197+0.43 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FCX555TA FCX555TA DIODES INC. FCX555.pdf Description: DIODES INC. - FCX555TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 700 mA, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.48 EUR
226+1.04 EUR
315+0.68 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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FCX555TA FCX555TA DIODES INC. FCX555.pdf Description: DIODES INC. - FCX555TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 700 mA, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+0.52 EUR
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FCX555TA FCX555TA Diodes Incorporated FCX555.pdf Description: TRANS PNP 180V 0.7A SOT-89-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
auf Bestellung 476569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FCX555TA FCX555TA Diodes Incorporated FCX555.pdf Bipolar Transistors - BJT 180V H-Voltage PNP Switching Transistor
auf Bestellung 4142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.89 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 700mA; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Collector current: 0.7A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 150V
Quantity in set/package: 1000pcs.
auf Bestellung 915 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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128+0.67 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FCX555TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 700 mA, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FCX555TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 700 mA, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FCX555TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 180V 0.7A SOT-89-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
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100+0.6 EUR
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FCX555TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 180V H-Voltage PNP Switching Transistor
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3+1.5 EUR
10+0.89 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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