FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 3300V 1000A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Dual Brake Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V, Power - Max: 11500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FD1000R33HE3KBPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FD1000R33HE3KBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trench and Field Stop IGBT Module |
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| FD1000R33HE3KBPSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules |
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FD1000R33HE3KBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 3300V 1000A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual Brake Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1000A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 11500 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V |
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