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FD1000R33HL3KBPSA1

FD1000R33HL3KBPSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Power Module
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Technische Details FD1000R33HL3KBPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 3300V 1000A 11500W MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V, Power - Max: 11500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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FD1000R33HL3KBPSA1 FD1000R33HL3KBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FD1000R33HL3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043407895a701407b6e982f2815 Description: IGBT MOD 3300V 1000A 11500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V
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Input: Standard
Configuration: 2 Independent
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Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
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Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
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