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Technische Details FD200R65KF2-K Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 3600V 200A 380000W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.9V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V, Power - Max: 380000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FD200R65KF2-K nach Preis ab 3461.96 EUR bis 3461.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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| FD200R65KF2-K | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 3600V 200A 380000WPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.9V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V Power - Max: 380000 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
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