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FD400R12KE3HOSA1

FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

147ds_fd400r12ke3_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray
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Technische Details FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FD400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 580A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: C Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FD400R12KE3HOSA1 FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies 147ds_fd400r12ke3_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray
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FD400R12KE3HOSA1 FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies 147ds_fd400r12ke3_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray
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FD400R12KE3HOSA1 FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD400R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431adaa5518 Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
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FD400R12KE3HOSA1 FD400R12KE3HOSA1 INFINEON INFNS28309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FD400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 580A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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FD400R12KE3HOSA1 147ds_fd400r12ke3_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf
FD400R12KE3HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 5-Pin 62MM-1 Tray
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FD400R12KE3HOSA1 147ds_fd400r12ke3_3_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf
FD400R12KE3HOSA1
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FD400R12KE3HOSA1 Infineon-FD400R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431adaa5518
FD400R12KE3HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
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FD400R12KE3HOSA1 INFNS28309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FD400R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FD400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 580A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
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DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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