Technische Details FD500R65KE3KNOSA1 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; 9.6kW, Type of semiconductor module: IGBT, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 9.6kW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| FD500R65KE3KNOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; 9.6kW Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 9.6kW |
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FD500R65KE3KNOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 6500V 500A 9600W Tray |
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| FD500R65KE3KNOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW
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| FD500R65KE3KNOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 6500V 500A 9600W Tray
Trans IGBT Module N-CH 6500V 500A 9600W Tray
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