FDA24N50F ON Semiconductor
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Technische Details FDA24N50F ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDA24N50F nach Preis ab 2.68 EUR bis 6.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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FDA24N50F | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA24N50F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA24N50F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 270W Case: TO3PN On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 96A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDA24N50F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 270W Case: TO3PN On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 96A |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA24N50F | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch |
auf Bestellung 1548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDA24N50F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA24N50F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA24N50F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 3060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA24N50F Produktcode: 162370
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDA24N50F | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V |
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