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FDB0105N407L

FDB0105N407L ON Semiconductor

fdb0105n407l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details FDB0105N407L ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V.

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FDB0105N407L FDB0105N407L Hersteller : ON Semiconductor fdb0105n407l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V
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