FDB047N10 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FDB047N10 onsemi
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FDB047N10 nach Preis ab 3.65 EUR bis 8.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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FDB047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB047N10 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB047N10 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 4027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDB047N10 | FSC |
TO263 10+ |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDB047N10 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.3 EUR |
| 100+ | 3.89 EUR |
| 250+ | 3.65 EUR |
| FDB047N10 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.5 EUR |
| 10+ | 5.19 EUR |
| 100+ | 4.28 EUR |
| FDB047N10 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 7.85 EUR |
| 100+ | 7.35 EUR |
| 500+ | 6.82 EUR |
| FDB047N10 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 4027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.76 EUR |
| 10+ | 5.93 EUR |
| 100+ | 4.21 EUR |
| FDB047N10 |
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Hersteller: FSC
TO263 10+
TO263 10+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)