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FDB110N15A

FDB110N15A onsemi

ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2400 Stücke:
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Technische Details FDB110N15A onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 234W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDB110N15A FDB110N15A onsemi / Fairchild FDB110N15A-D.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDB110N15A FDB110N15A onsemi ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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10+7.16 EUR
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FDB110N15A FDB110N15A onsemi ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
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Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
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