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FDB28N30TM

FDB28N30TM ON Semiconductor

fdb28n30tmd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.64 EUR
1600+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Technische Details FDB28N30TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm.

Weitere Produktangebote FDB28N30TM nach Preis ab 1.55 EUR bis 6.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.65 EUR
1600+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM onsemi FDB28N30TM-D.PDF Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.9 EUR
1600+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.27 EUR
250+2.06 EUR
800+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI 2304489.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI FDB28N30TM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.92 EUR
31+2.76 EUR
38+2.26 EUR
41+2.09 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM ON-Semiconductor TFDB28n30tm_ON_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM onsemi FDB28N30TM-D.PDF MOSFETs 300V N-Channel
auf Bestellung 10769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.53 EUR
100+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM onsemi FDB28N30TM-D.PDF Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 9833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.86 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI 2304489.pdf Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
62+3.76 EUR
100+2.51 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB28N30TM FDB28N30TM ON Semiconductor fdb28n30tmd.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDB28N30TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.65 EUR
1600+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB28N30TM FDB28N30TM-D.PDF
FDB28N30TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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800+1.9 EUR
1600+1.77 EUR
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FDB28N30TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+2.27 EUR
250+2.06 EUR
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FDB28N30TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDB28N30TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+3.92 EUR
31+2.76 EUR
38+2.26 EUR
41+2.09 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM TFDB28n30tm_ON_0001.pdf
FDB28N30TM
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDB28N30TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 300V N-Channel
auf Bestellung 10769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.84 EUR
10+3.53 EUR
100+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM-D.PDF
FDB28N30TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 9833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.95 EUR
10+3.86 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM 2304489.pdf
FDB28N30TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.79 EUR
62+3.76 EUR
100+2.51 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM fdb28n30tmd.pdf
FDB28N30TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM fdb28n30tmd.pdf
FDB28N30TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH