FDB86363-F085 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 8.73 EUR |
10+ | 7.84 EUR |
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Technische Details FDB86363-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 110, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Power Trench FDD, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FDB86363-F085 nach Preis ab 5.9 EUR bis 12.09 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDB86363-F085 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDB86363-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench FDD Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB86363_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB86363_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB86363-F085 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB86363_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB86363-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V |
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