FDB86363-F085 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details FDB86363-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote FDB86363-F085 nach Preis ab 4 EUR bis 8.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDB86363-F085 | onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ONN |
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auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDB86363-F085 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.18 EUR |
| 10+ | 7.37 EUR |
| 100+ | 6.04 EUR |
| 500+ | 5.14 EUR |
| 800+ | 4.33 EUR |
| 2400+ | 4.12 EUR |
| 4800+ | 4 EUR |
| FDB86363_F085 |
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| FDB86363_F085 |
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| FDB86363-F085 |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)


