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FDB86363-F085

FDB86363-F085 ON Semiconductor

fdb86363_f085-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 88800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Technische Details FDB86363-F085 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Power Trench FDD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote FDB86363-F085 nach Preis ab 3.27 EUR bis 9.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDB86363-F085 FDB86363-F085 ON Semiconductor fdb86363_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.07 EUR
43+3.87 EUR
100+3.67 EUR
250+3.46 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FDB86363-F085 FDB86363-F085 ONSEMI 2729317.pdf Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.77 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085 FDB86363-F085 ONSEMI 2729317.pdf Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
39+6.1 EUR
100+5.03 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085 FDB86363-F085 onsemi fdb86363_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.48 EUR
10+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDB86363-F085 FDB86363-F085 onsemi / Fairchild FDB86363_F085_D-2312181.pdf MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+8.77 EUR
100+7.19 EUR
500+6.12 EUR
800+5.15 EUR
2400+4.9 EUR
4800+4.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085 FDB86363_F085 Fairchild Semiconductor FDB86363_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085 FDB86363_F085 Fairchild Semiconductor FDB86363_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085 Aptina Imaging FDB86363_F085.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB86363_F085 Aptina Imaging FDB86363_F085.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FDB86363-F085 ONN fdb86363_f085-d.pdf
auf Bestellung 765 Stücke:
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FDB86363-F085 fdb86363_f085-d.pdf
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.07 EUR
43+3.87 EUR
100+3.67 EUR
250+3.46 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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FDB86363-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+4.77 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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FDB86363-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.45 EUR
39+6.1 EUR
100+5.03 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDB86363-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.48 EUR
10+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1540 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+9.73 EUR
10+8.77 EUR
100+7.19 EUR
500+6.12 EUR
800+5.15 EUR
2400+4.9 EUR
4800+4.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDB86363_F085
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085 FDB86363_F085.pdf
FDB86363_F085
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085 FDB86363_F085.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363_F085 FDB86363_F085.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86363-F085 fdb86363_f085-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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