FDB86569-F085 ON Semiconductor / Fairchild

Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 94, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044, SVHC: Lead (19-Jan-2021).