Technische Details FDB8874 fairchild
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 40, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 110, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDB8874
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FDB8874 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDB8874 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDB8874 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDB8874 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
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Stück im Wert von UAH
| FDB8874 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
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Stück im Wert von UAH
| FDB8874 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
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