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| Anzahl | Preis |
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| 7+ | 2.75 EUR |
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Technische Details FDB8896 ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 80W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 80A, Power dissipation: 80W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 67nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote FDB8896
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDB8896 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 1249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDB8896 | Hersteller : FAIRCHILD |
07+ TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDB8896 | Hersteller : FAIRCHILD |
TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDB8896 | Hersteller : fairchild |
to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDB8896 | Hersteller : FSC |
09+ |
auf Bestellung 656 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDB8896 | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB8896 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |