FDB8896 ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
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Technische Details FDB8896 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 93, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 80, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 2.5, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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