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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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Technische Details FDBL86063 onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 240A, Power dissipation: 357W, Case: H-PSOF8L, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 73nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
Weitere Produktangebote FDBL86063 nach Preis ab 6.92 EUR bis 12.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDBL86063 | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF |
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| FDBL86063 | Hersteller : ON Semiconductor |
 N Channel Power Trench MOSFET, 100V, 240A, 2.6m N Channel Power Trench MOSFET, 100V, 240A, 2.6m |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDBL86063 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 240A Power dissipation: 357W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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FDBL86063 | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDBL86063 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 240A Power dissipation: 357W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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