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FDBL86066-F085

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Produktcode: 203129
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi fdbl86066-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.22 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi FDBL86066-F085-D.PDF MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+3.61 EUR
100+3.53 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.17 EUR
2000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.09 EUR
47+3.64 EUR
48+3.42 EUR
100+2.99 EUR
250+2.76 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
auf Bestellung 7066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.66 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.14 EUR
40+4.33 EUR
42+3.97 EUR
100+3.31 EUR
250+3 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi fdbl86066-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.77 EUR
10+5.81 EUR
100+4.12 EUR
500+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
auf Bestellung 7066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.82 EUR
38+6.18 EUR
100+4.66 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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FDBL86066-F085 ONN fdbl86066-f085-d.pdf
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+3.22 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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FDBL86066-F085
Hersteller: onsemi
MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.88 EUR
10+3.61 EUR
100+3.53 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.17 EUR
2000+3.08 EUR
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FDBL86066-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+4.09 EUR
47+3.64 EUR
48+3.42 EUR
100+2.99 EUR
250+2.76 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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FDBL86066-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
auf Bestellung 7066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.66 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.14 EUR
40+4.33 EUR
42+3.97 EUR
100+3.31 EUR
250+3 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.77 EUR
10+5.81 EUR
100+4.12 EUR
500+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
auf Bestellung 7066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.82 EUR
38+6.18 EUR
100+4.66 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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