Produkte > ONSEMI > FDBL86363-F085
FDBL86363-F085

FDBL86363-F085 onsemi

fdbl86363_f085-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDBL86363-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 357W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.

Weitere Produktangebote FDBL86363-F085 nach Preis ab 3.86 EUR bis 10.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.84 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 onsemi fdbl86363_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+6.93 EUR
100+5.6 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 onsemi / Fairchild FDBL86363_F085-D.PDF MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+5.87 EUR
100+4.46 EUR
1000+4.44 EUR
2000+4.02 EUR
4000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 ONSEMI 2729320.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.07 EUR
38+6.18 EUR
100+4.84 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 onsemi fdbl86363_f085-d.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.62 EUR
100+4.96 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 ONN fdbl86363_f085-d.pdf
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
FDBL86363-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.84 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
FDBL86363-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.25 EUR
10+6.93 EUR
100+5.6 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 FDBL86363_F085-D.PDF
FDBL86363-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.52 EUR
10+5.87 EUR
100+4.46 EUR
1000+4.44 EUR
2000+4.02 EUR
4000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 2729320.pdf
FDBL86363-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 7176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.07 EUR
38+6.18 EUR
100+4.84 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
FDBL86363-F085
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.17 EUR
10+6.62 EUR
100+4.96 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH