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FDBL9401-F085T6

FDBL9401-F085T6 onsemi

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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF
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Technische Details FDBL9401-F085T6 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 180.7W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm.

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FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 onsemi fdbl9401-f085t6-d.pdf MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 180.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
auf Bestellung 1874 Stücke:
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FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 ONSEMI ONSM-S-A0015368685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 180.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
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