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FDC2512

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC2512 FDC2512 ON Semiconductor fdc2512-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC2512 FDC2512 Fairchild info-tfdc2512.pdf N-MOSFET 1.4A 150V 1.6W 0.425Ω FDC2512 TFDC2512
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.94 EUR
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FDC2512 FDC2512 ONSEMI 3962830.pdf Description: ONSEMI - FDC2512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.425 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.425ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDC2512 FDC2512 ONSEMI 3962830.pdf Description: ONSEMI - FDC2512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.425 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1.6W
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.425ohm
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDC2512
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9350 Stücke:
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FDC2512
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 1.4A 150V 1.6W 0.425Ω FDC2512 TFDC2512
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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FDC2512
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC2512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.425 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.425ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDC2512
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC2512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.425 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.425ohm
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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